好的中走絲，在小量程MEMS電容式壓力傳感器信號(hào)讀取方面，日本東北大學(xué)的Tomio Nagata等人最早實(shí)現(xiàn)了采用數(shù)字芯片來補(bǔ)償傳感器芯片的熱靈敏度漂移。他們研制的傳感器可以靈敏檢測(cè)0～200 mmH2O(0～1.96 kPa)范圍內(nèi)的壓力。

好的中走絲，然而，靈敏度的提高會(huì)造成傳感器溫度特性的下降。為了保持傳感器在小量程壓力測(cè)量時(shí)的準(zhǔn)確度，他們研制了一種全新的調(diào)整和補(bǔ)償技術(shù)。該技術(shù)首先利用轉(zhuǎn)換器將電容值轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳?yīng)的頻率值，然后利用研發(fā)的IC芯片對(duì)零點(diǎn)溫度系數(shù)和靈敏度溫度系數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償，將滿量程（FFS）輸出值進(jìn)行調(diào)整，最后輸出數(shù)字信號(hào)。

好的中走絲，這一調(diào)整和補(bǔ)償技術(shù)對(duì)提高小量程壓力測(cè)量時(shí)傳感器溫度特性的提高很有幫助。傳感器芯片的熱靈敏度漂移為0.026%F.S./℃，零點(diǎn)溫度漂移為0.013%F.S./℃。當(dāng)電容空腔采用濕法腐蝕二氧化硅層形成時(shí)，其側(cè)壁形狀為拋物線型(近似球形)。